BZT52H-C36和BZT52H-C36,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C36 BZT52H-C36,115

描述 单齐纳二极管的SOD123F包 Single Zener diodes in a SOD123F packageSOD-123F 36V 830mW

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2

封装 SOD-123F SOD-123F

容差 - ±5 %

正向电压 - 900mV @10mA

耗散功率 830 mW 0.83 W

测试电流 - 5 mA

稳压值 36 V 36 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 375 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 830 mW

电容 - -

高度 - 1.2 mm

封装 SOD-123F SOD-123F

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 33.9 mV/K

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - -

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