JANTX2N5237S和JANTXV2N5237S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5237S JANTXV2N5237S 2N5237

描述 TO-39 NPN 120V 10ATO-39 NPN 120V 10ANPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-205 TO-205 TO-5

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V -

集电极最大允许电流 10A 10A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @5A, 5V 40 @5A, 5V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

封装 TO-205 TO-205 TO-5

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 -

含铅标准 -

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