IRFU214和IRFU214PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU214 IRFU214PBF FQU4N25TU

描述 2.2A , 250V , 2.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETsMOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAKN沟道 250V 3A

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) - - 250 V

额定电流 - - 3.00 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 1.75 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) - 250 V 250 V

漏源击穿电压 - - 250 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 3.00 A

上升时间 - - 45 ns

输入电容(Ciss) - 140pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc)

长度 - - 6.8 mm

宽度 - - 2.5 mm

高度 - - 6.3 mm

封装 - TO-251-3 TO-251-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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