对比图
型号 BUK9Y40-55B BUK9Y40-55B,115
描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETLFPAK N-CH 55V 18A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-669 SOT-669
漏源极电阻 0.036 Ω 0.032 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 59 W 59 W
阈值电压 1.5 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A
上升时间 - 93 ns
输入电容(Ciss) - 1020pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 59 W
下降时间 - 72 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) - 59W (Tc)
输入电容 - -
工作温度(Min) - -
封装 SOT-669 SOT-669
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -