BZT55C18和TZMC18-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT55C18 TZMC18-GS08 BZV55C18

描述 TAIWAN SEMICONDUCTOR  BZT55C18  ZENER DIODE, 0.5W, 18V, MINI-MELF 新VISHAY  TZMC18-GS08  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 18 V, 500 mW, MiniMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Multicomp

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 2

封装 Quadro-Melf-2 SOD-80-2 SOD-80

针脚数 2 2 2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 18 V 18 V 18 V

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 0.5 W -

击穿电压 - 18.0 V -

正向电压 - 1.5V @200mA -

测试电流 - 5 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 Quadro-Melf-2 SOD-80-2 SOD-80

长度 - 3.7 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2016/06/20

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - 175 ℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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