RM25C256C-LSNI-B和RM25C256C-LSNI-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RM25C256C-LSNI-B RM25C256C-LSNI-T

描述 RM25C256C 系列 3.6 V 256 kb 10 MHz 非易失性 串行 存储器 - SOIC-8NIc Eeprom 256Kbit 10MHz 8soic

数据手册 --

制造商 Adesto Technologies Adesto Technologies

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

频率 10 MHz -

供电电流 3 mA -

存取时间(Max) 6.5 ns 6.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 1.65 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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