对比图
型号 IXTA220N04T2 IXTA220N04T2-7 IXTP220N04T2
描述 N-沟道 40 V 220 A 3.5 mΩ 表面贴装 TrenchT2 功率 Mosfet - TO-263D2PAK N-CH 40V 220APower Field-Effect Transistor,
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Littelfuse (力特)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3 TO-263-7 -
耗散功率 360 W 360W (Tc) -
上升时间 21 ns - -
输入电容(Ciss) 6820pF @25V(Vds) 6820pF @25V(Vds) -
下降时间 21 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 360000 mW 360W (Tc) -
极性 - N-CH -
漏源极电压(Vds) - 40 V -
连续漏极电流(Ids) - 220A -
高度 4.83 mm - -
封装 TO-263-3 TO-263-7 -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -