IXTA220N04T2和IXTA220N04T2-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA220N04T2 IXTA220N04T2-7 IXTP220N04T2

描述 N-沟道 40 V 220 A 3.5 mΩ 表面贴装 TrenchT2 功率 Mosfet - TO-263D2PAK N-CH 40V 220APower Field-Effect Transistor,

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Littelfuse (力特)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-7 -

耗散功率 360 W 360W (Tc) -

上升时间 21 ns - -

输入电容(Ciss) 6820pF @25V(Vds) 6820pF @25V(Vds) -

下降时间 21 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 360000 mW 360W (Tc) -

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 40 V -

连续漏极电流(Ids) - 220A -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-7 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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