对比图
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 PG-TDSON-8 PowerTDFN-8
引脚数 - 8
额定电压(DC) 25.0 V -
额定电流 100 A -
输入电容 6.53 nF -
栅电荷 52.0 nC -
漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 3.1W (Ta)
通道数 - 1
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.0022 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 3.1 W
阈值电压 - 1.6 V
漏源击穿电压 - 25 V
上升时间 - 18.3 ns
输入电容(Ciss) - 2660pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max) - 3.1 W
下降时间 - 9.2 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 PG-TDSON-8 PowerTDFN-8
长度 - 5.8 mm
宽度 - 4.9 mm
高度 - 1.1 mm
产品生命周期 Obsolete 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)