BFG19S和BFP540ESD

对比图

型号 BFG19S BFP540ESD MRF587

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF TransistorNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor射频线NPN硅高频晶体管噪声系数3.0分贝@ 500MHz的 The RF Line NPN Silicon High Frequency Transistor Noise Figure 3.0 dB@ 500MHz

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) M/A-Com

分类 双极性晶体管

封装 SOT-223-4 SOT-343 244A-01

安装方式 - Surface Mount -

耗散功率(Max) 1 W - -

极性 - - NPN

耗散功率 - - 5 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 17 V

增益 - - 13 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 50 @50mA, 5V

封装 SOT-223-4 SOT-343 244A-01

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free