对比图
型号 IRFL024NPBF IRFL024NTR IRFL014NPBF
描述 INFINEON IRFL024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 VSOT-223 N-CH 55V 4AN 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定功率 2.1 W - 2.1 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.075 Ω - 0.16 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.1 W 1W (Ta) 1 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 4A 4A 2.7A
上升时间 13.4 ns 13.4 ns 7.1 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 190pF @25V(Vds)
下降时间 17.7 ns 17.7 ns 3.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
通道数 - - 1
输入电容 - - 190 pF
漏源击穿电压 - - 55 V
长度 6.7 mm - 6.7 mm
宽度 3.7 mm - 3.7 mm
高度 1.8 mm - 1.7 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Not For New Designs
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free