APT20M38SVR和IXFT74N20

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M38SVR IXFT74N20 APT20M38SVRG

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 67A 3Pin(2+Tab) D3PAKTO-268 N-CH 200V 74A200V 67A 0.038W 200V 67A 0.038W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - TO-268-3 TO-268-3

引脚数 - - 3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 30 mΩ -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 360 W 370 W

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 74A 67.0 A

上升时间 - 55 ns 21 ns

输入电容(Ciss) - 5400pF @25V(Vds) 6120pF @25V(Vds)

下降时间 - 26 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 360W (Tc) 370W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 67.0 A

输入电容 - - 6.12 nF

栅电荷 - - 225 nC

额定功率(Max) - - 370 W

长度 - 16.05 mm 16.05 mm

宽度 - 14 mm 13.99 mm

高度 - 5.1 mm 5.08 mm

封装 - TO-268-3 TO-268-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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