对比图
型号 BUZ341 IRFP250N IRFP250NPBF
描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTO-247AC N-CH 200V 30AINFINEON IRFP250NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-218 TO-247 TO-247-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 33A 30.0 A 30A
上升时间 110 ns 43 ns 43 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 2159pF @25V(Vds) 2159pF @25V(Vds)
下降时间 160 ns 33 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 170000 mW 214000 mW 214W (Tc)
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 30.0 A -
漏源极电阻 - 75.0 mΩ 0.075 Ω
耗散功率 - 214 W 214 W
产品系列 - IRFP250N -
漏源击穿电压 - 200V (min) 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率 - - 214 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 2159 pF
热阻 - - 0.7℃/W (RθJC)
额定功率(Max) - - 214 W
封装 TO-218 TO-247 TO-247-3
长度 - - 15.9 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 20.3 mm
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)