CY7C1512AV18-200BZXC和GS8672Q18BE-200

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1512AV18-200BZXC GS8672Q18BE-200 GS8662Q18BGD-200

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGAQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 165 - 165

封装 FBGA-165 FBGA FBGA

位数 18 - -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 FBGA FBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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