对比图
型号 IPI80N04S2H4AKSA1 IPI80N04S2H4AKSA2
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S2H4AKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装N-CH 40V 80A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A
上升时间 63 ns 63 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1
长度 10 mm 10.2 mm
宽度 4.4 mm 4.5 mm
高度 9.25 mm 9.45 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tube, Rail Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free 无铅