MMDT3946-7-F和SMBT3904PN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDT3946-7-F SMBT3904PN MBT3946DW1T1G

描述 特点•互补配对互补NPN/ PNP小信号表面贴装晶体管?•一个NPN,一个3904型3906型PNP•外延平面电路小片建设•适用于低功率放大和开关•超小型表面贴装封装?•无铅/ RoHS规定(注3)NPN / PNP硅开关晶体管阵列低集电极 - 发射极饱和电压 NPN / PNP Silicon Switching Transistor Array Low collector-emitter saturation voltageON SEMICONDUCTOR  MBT3946DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SOT-363-6 SOT-363 SC-70-6

频率 300 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

针脚数 6 - 6

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN, PNP

耗散功率 200 mW - 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 200 mW - 150 mW

直流电流增益(hFE) 100 - 300

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 150 mW

额定功率 0.2 W - -

增益频宽积 300 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SOT-363-6 SOT-363 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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