对比图
型号 IRF6215 IRF6215PBF AUIRF6215
描述 TO-220AB P-CH 150V 13AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON AUIRF6215 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -150 V, 0.29 ohm, -10 V, -2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 110 W 110 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.29 Ω 0.29 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110 W
输入电容 - 860 pF -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13A 13A
上升时间 36.0 ns 36 ns 36 ns
输入电容(Ciss) - 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W -
下降时间 - 37 ns 37 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
通道数 - - 1
额定电压(DC) -150 V - -
额定电流 -13.0 A - -
产品系列 IRF6215 - -
漏源击穿电压 -150 V - -
长度 - 10.54 mm 10.66 mm
宽度 - 4.69 mm 4.82 mm
高度 - 8.77 mm 16.51 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17