对比图
型号 APT10090SFLLG IXFT12N100 APT1001RSVRG
描述 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3TO-268 N-CH 1000V 12A100％的雪崩测试 100% Avalanche Tested
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-268 TO-268-3 D3PAK-3
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 12.0 A - 11.0 A
输入电容 1.97 nF - 3.66 nF
栅电荷 71.0 nC - 225 nC
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A 11.0 A
上升时间 5 ns - 11 ns
输入电容(Ciss) 1969pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 3050pF @25V(Vds)
下降时间 4 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 298000 mW 300W (Tc) 280000 mW
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 300W (Tc) 280 W
额定功率(Max) - - 280 W
封装 TO-268 TO-268-3 D3PAK-3
产品生命周期 Obsolete Not Recommended Active
包装方式 Tube, Rail Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -