IRF640和IRF640PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF640 IRF640PBF 2SK891

描述 N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFETMOSFET N-CH 200V 18A TO-220ABN CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE APPLICATIONS)

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

引脚数 3 - -

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

输入电容(Ciss) 1560pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 125 W 125 W -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 18.0 A - -

漏源极电阻 180 mΩ - -

极性 N-Channel - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - -

上升时间 27 ns - -

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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