IS43LR32100C-6BLI和IS43LR32100D-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32100C-6BLI IS43LR32100D-6BLI IS43LR32100C-6BL

描述 IC DDR 32M 166MHz 90BGA32m, 1.8V, Mobile Ddr, 1mx32, 166MHz, 90 Ball Bga (8mmx13mm) Rohs, ItDRAM Chip Mobile DDR SDRAM 32M-Bit 1M x 32 1.8V 90Pin TFBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-90 TFBGA-90 TFBGA-90

引脚数 - 90 -

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

位数 - 32 -

存取时间 - 5.5 ns -

存取时间(Max) - 6 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 TFBGA-90 TFBGA-90 TFBGA-90

高度 - 0.8 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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