对比图
型号 IS41LV16256B-35KL IS41LV16256B-35TL IS41LV16256C-35TLI
描述 DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin SOJDRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin TSOP-II4M, 3.3V EDO DRAM, Async, 256Kx16, 35ns, 40Pin TSOP II, RoHS, IT
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 40 40 40
封装 SOJ TSOP TSOP-40
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -
位数 16 16 16
存取时间 35.0 ns 35.0 ns -
内存容量 4000000 B 4000000 B -
存取时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
供电电流 - - 230 mA
电源电压 - - 3V ~ 3.6V
封装 SOJ TSOP TSOP-40
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)