THS4211D和THS4211DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4211D THS4211DR AD8009ARZ

描述 Texas Instruments低失真高速电压反馈放大器 LOW-DISTORTION HIGH-SPEED VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIERANALOG DEVICES  AD8009ARZ  运算放大器, 单路, 1 GHz, 1个放大器, 5500 V/µs, 5V 至 ± 6V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 230mA @5V 230mA @5V 175mA @5V

供电电流 19 mA 19 mA 16 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1.02 W 0.75 W

共模抑制比 50 dB 50 dB 50 dB

输入补偿漂移 40.0 µV/K 40.0 µV/K -

带宽 1 GHz 350 MHz 1 GHz

转换速率 970 V/μs 970 V/μs 5.50 kV/μs

增益频宽积 300 MHz 300 MHz 1 GHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 2 mV

输入偏置电流 7 µA 7 µA 50 µA

可用通道 S S -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 325 MHz 325 MHz 1 GHz

增益带宽 350 MHz 350 MHz 50 dB

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 750 mW

共模抑制比(Min) 50 dB 50 dB 50 dB

电源电压(DC) 15.0 V - -

针脚数 8 - 8

电源电压(Max) 7.5 V - 12 V

输入电容 - - 2.60 pF

输入阻抗 - - 110 kΩ

电源电压 - - 5V ~ 6V

电源电压(Min) - - 5 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

军工级 - - No

香港进出口证 NLR - -

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