1N4101-1和JAN1N4101C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4101-1 JAN1N4101C-1 JANTX1N4101

描述 DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)Diode Zener 8.2V Do35硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Obsolete

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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