对比图
型号 SIR330DP-T1-GE3 SIR482DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SO-8
通道数 1 -
耗散功率 5W (Ta), 27.7W (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1300pF @15V(Vds) 1575pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 5W (Ta), 27.7W (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc)
封装 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 无铅