对比图
型号 IXFQ22N60P3 IXFV22N60PS IXTQ22N60P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDN沟道 600V 22A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-3-3 PLUS-220-SMD-3 TO-3-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 22.0 A 22.0 A
通道数 1 1 1
漏源极电阻 360 mΩ 350 mΩ 350 mΩ
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 500 W 400 W 400 W
输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF
栅电荷 - 58.0 nC 62.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 22A 22.0 A 22.0 A
上升时间 17 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 400 W -
下降时间 19 ns 23 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
阈值电压 5 V - -
长度 15.8 mm 11 mm 15.8 mm
宽度 4.9 mm 15 mm 4.9 mm
高度 20.3 mm 4.7 mm 20.3 mm
封装 TO-3-3 PLUS-220-SMD-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free