IXTA180N10T和IXTA180N10T7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA180N10T IXTA180N10T7 BUK764R3-40B,118

描述 N沟道 100V 180AIXTA Series Single N-Channel 100V 6.4mOhm 480W Power Mosfet - TO-263D2PAK N-CH 40V 176A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-7 TO-263-3

引脚数 - 7 -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 480 W 480 W 254 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 180A - 176A

输入电容(Ciss) 6900pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 4824pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 480 W 254 W

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 254W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 6.4 mΩ - -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 54 ns 54 ns -

下降时间 31 ns 31 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-7 TO-263-3

长度 9.9 mm - -

宽度 9.2 mm - -

高度 4.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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