对比图
型号 2N3439L JANS2N3439L 2N3439
描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTO-5 NPN 350V 1ANPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-5 TO-5 TO-39
额定电压(DC) - - 350 V
额定电流 - - 1.00 A
耗散功率 0.8 W - 0.8 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW
极性 NPN NPN -
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V -
集电极最大允许电流 1A 1A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V - -
额定功率(Max) 800 mW - -
封装 TO-5 TO-5 TO-39
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Bulk Bag
RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 - - EAR99