对比图
型号 MMBT3906LT3G SMMBT3906LT3G MMBT3906LT1G
描述 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TRON SEMICONDUCTOR MMBT3906LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz
额定电压(DC) -40.0 V - -40.0 V
额定电流 -200 mA - -200 mA
针脚数 3 - 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 225 mW 0.3 W 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) 100 - 300
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW
额定功率 - - 300 mW
长度 3.04 mm - 2.9 mm
宽度 1.4 mm - 1.3 mm
高度 1.01 mm - 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR