APT10050JN和APT10050JVR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10050JN APT10050JVR IXFK21N100Q

描述 SOT-227 N-CH 1000V 20.5ASOT-227 N-CH 1000V 19ATO-264AA N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-227 SOT-227 TO-264-3

安装方式 - Screw Through Hole

引脚数 - 4 3

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V

连续漏极电流(Ids) 20.5A 19.0 A 21A

耗散功率 - - 500W (Tc)

上升时间 - 13 ns 18 ns

输入电容(Ciss) - 6600pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds)

下降时间 - 8 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 450000 mW 500W (Tc)

额定电压(DC) - 1.00 kV -

额定电流 - 19.0 A -

输入电容 - 7.90 nF -

栅电荷 - 500 nC -

封装 SOT-227 SOT-227 TO-264-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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