对比图
型号 BSO080P03SH BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03NS3G
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON BSO080P03SHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 VOptiMOSTM3 P3功率三极管 OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DSO SOIC-8 PG-DSO-8
引脚数 8 8 -
封装 DSO SOIC-8 PG-DSO-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.65 mm 1.65 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
额定功率 - 1.79 W -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0067 Ω -
极性 P-Channel P-Channel -
耗散功率 - 1.79 W -
漏源极电压(Vds) - 30 V -
连续漏极电流(Ids) - 12.6A -
上升时间 - 22 ns -
输入电容(Ciss) - 4430pF @25V(Vds) -
下降时间 - 110 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5 W 2500 mW -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -