对比图
型号 IRFS3306PBF STB160N75F3 IRFS7537TRLPBF
描述 N沟道 60V 120AN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsStrongIRFET™ 功率 MOSFET，InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 4.2 mΩ - 0.00275 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 330 W 230 W
阈值电压 - - 3.7 V
输入电容 4520pF @50V - 7020 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 75 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 160 A 60.0 A 173A
上升时间 - 65 ns 105 ns
输入电容(Ciss) 4520pF @50V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 7020pF @25V(Vds)
下降时间 - 15 ns 84 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 230 W
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 160 A - -
产品系列 IRFS3306 - -
栅电荷 120 nC - -
额定功率(Max) 230 W 330 W -
长度 10.67 mm 10.75 mm 10.67 mm
宽度 - 10.4 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -