PIC18F2320-I/SO和PIC18F2220-I/SO

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2320-I/SO PIC18F2220-I/SO PIC18F2320T-I/SO

描述 MICROCHIP  PIC18F2320-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 8 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOICMICROCHIP  PIC18F2220-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 4 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOICPIC18 系列 512 B RAM 8 kB 闪存 8 位 高性能 微控制器-SOIC-28

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

频率 40 MHz 40 MHz -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V -

针脚数 28 28 -

时钟频率 40 MHz 40.0 MHz 40.0MHz (max)

RAM大小 512 B 512 B 512 B

位数 8 8 8

耗散功率 1000 mW 1000 mW 1000 mW

FLASH内存容量 8 KB 4 KB -

I/O引脚数 25 25 25

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内核子架构 PIC18 - PIC18

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 25 Input 25 Input -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 4.2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V -

内存容量 - 4000 B -

长度 17.9 mm 17.9 mm -

宽度 7.5 mm 7.5 mm -

高度 2.35 mm 2.35 mm -

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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