IXFE34N100和IXFL38N100Q2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFE34N100 IXFL38N100Q2 IXFL34N100

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin ISOPLUS 227Trans MOSFET N-CH 1kV 29A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 264Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 264

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Chassis Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 SOT-227-4 TO-264-3 TO-264-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 280 mΩ -

耗散功率 580W (Tc) 380 W 550W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 - 1000 V -

上升时间 - 28 ns -

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 13500pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 380 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) 580W (Tc) 380W (Tc) 550W (Tc)

长度 - 20.29 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 26.42 mm -

封装 SOT-227-4 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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