BFP540ESD和MRF559

对比图

型号 BFP540ESD MRF559 MRF5812

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORSRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-343 Macro-X -

耗散功率 - 2000 mW -

输出功率 - 0.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 16 V -

增益 - 9.5 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

高度 - 2.54 mm -

封装 SOT-343 Macro-X -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free