对比图
型号 APT15F50K FQP13N50 SIHP14N50D-GE3
描述 MICROSEMI APT15F50K 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 15A, TO-220FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 VVISHAY SIHP14N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 15.0 A 12.5 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.33 Ω 0.33 Ω 0.32 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 223 W 170 W 208 W
阈值电压 4 V 5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 mA 12.5 A -
上升时间 12 ns 140 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds) 1144pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 225 W 170 W -
下降时间 8 ns 85 ns 26 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 223W (Tc) 170W (Tc) 208 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.67 mm 10.51 mm
宽度 - 4.7 mm 4.65 mm
高度 - 16.3 mm 9.01 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active -
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -