JANTX1N6112A和JANTX1N6116A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N6112A JANTX1N6116A JAN1N6112A

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 T MET BI 500W 18VTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 20.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 14V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Sensitron Semiconductor Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 2 -

封装 Axial - -

额定功率 500 W - -

击穿电压 17.1 V - -

钳位电压 25.1 V 37.4 V -

测试电流 65 mA 50 mA -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 17.1 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -65℃ ~ 175℃ - -

封装 Axial - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

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