对比图
型号 IPB80N04S3-06 IPB80N04S306ATMA1
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道 40V 80A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3-2
引脚数 - 3
通道数 1 -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 100000 mW 100W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A
上升时间 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 3250pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W -
下降时间 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc)
长度 10 mm -
宽度 9.25 mm -
高度 4.4 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅