BF256B和NTE133

对比图

型号 BF256B NTE133 BF256B_J35Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BF256B  晶体管, JFET, JFET, -30 V, 6 mA, 13 mA, -8 V, TO-92, RF FETNTE ELECTRONICS  NTE133.  场效应管, JFET, N沟道, -25V, TO-106IC AMP RF N-CH 30V 10mA TO-92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-106 TO-226-3

击穿电压 - -25.0 V -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 350 mW 300 mW -

漏源击穿电压 - -6.50 V -

栅源击穿电压 30 V -6.50 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 mA 500 µA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 13 mA - 13 mA

额定功率 300 mW - -

漏源极电压(Vds) 30.0 V - -

额定电压 30 V - 30 V

高度 4.58 mm 4.57 mm -

封装 TO-226-3 TO-106 TO-226-3

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

HTS代码 - 85412100959 -

ECCN代码 EAR99 - -