对比图
描述 单N沟道功率MOSFET,100V,9A,225mΩN沟道 100V 9A
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - 3
无卤素状态 Halogen Free -
通道数 1 -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 1W (Ta), 19W (Tc) 1 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 9A 9A
输入电容(Ciss) 490pF @20V(Vds) 490pF @20V(Vds)
耗散功率(Max) 1W (Ta), 19W (Tc) 1W (Ta), 19W (Tc)
上升时间 - 10 ns
下降时间 - 24 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free