1SMB100AT3G和SMBJ100A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1SMB100AT3G SMBJ100A SMBJ100A-E3/52

描述 ON SEMICONDUCTOR  1SMB100AT3G  TVS Diode, TVS, 1SMB Series, Unidirectional, 100 V, 162 V, DO-214AA, 2 Pins 新硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage SuppressorsTRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SMBJ 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Littelfuse (力特) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

电容 190 pF - -

无卤素状态 Halogen Free - -

电路数 1 1 1

针脚数 2 2 -

钳位电压 162 V 162 V 162 V

最大反向电压(Vrrm) 100V - -

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 123 V 123 V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 111 V 111 V 111 V

击穿电压 111 V 111 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

额定电压(DC) - 100 V -

额定功率 - 600 W 600 W

击穿电压 - 117 V 100 V

耗散功率 - 600 W -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A -

正向电压(Max) - 3.5 V -

工作电压 - - 100 V

长度 4.6 mm 5.59 mm 4.57 mm

宽度 3.95 mm 3.94 mm 3.94 mm

高度 2.2 mm 2.44 mm 2.44 mm

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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