ISL6614BIR-T和ISL6614CRZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL6614BIR-T ISL6614CRZ ISL6614CRZ-T

描述 与预POR过压保护的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP有保护功能的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features有保护功能的双高级同步整流降压MOSFET驱动器 Dual Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

封装 HVQCCN QFN-16 QFN-16

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 16 16

封装 HVQCCN QFN-16 QFN-16

长度 - 4 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 0.95 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - 5.00V (min) 13.2V (max)

上升/下降时间 - 26ns, 18ns 26ns, 18ns

输出接口数 - 4 4

电源电压 - 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V

输出电流 - 3 A -

耗散功率 - 2 W -

上升时间 - 26 ns -

下降时间 - 18 ns -

下降时间(Max) - 18 ns -

上升时间(Max) - 26 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

电源电压(Max) - 13.2 V -

工作温度 - 0℃ ~ 125℃ (TJ) 0℃ ~ 125℃ (TJ)

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