IRF7304QTRPBF和IRF7304TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7304QTRPBF IRF7304TRPBF

描述 SOIC P-CH 20V 4.3AINFINEON  IRF7304TRPBF.  场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 140 mΩ 0.09 Ω

极性 P-CH P-CH

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 - 700 mV

输入电容 - 610 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.3A

上升时间 - 26 ns

输入电容(Ciss) 610pF @15V(Vds) 610pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

下降时间 - 33 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W

通道数 2 -

漏源击穿电压 20 V -

长度 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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