AT-32011-BLKG和AT-32011-TR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT-32011-BLKG AT-32011-TR2G AT-41511-BLKG

描述 Trans RF BJT NPN 5.5V 0.032A 4Pin(3+Tab) SOT-143 Bulk射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low CurrentBROADCOM LIMITED  AT-41511-BLKG  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10 GHz, 225 mW, 50 mA, 150 hFE

数据手册 ---

制造商 Broadcom (博通) AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-253-4 TO-253-4 TO-253-4

额定电压(DC) - 5.50 V -

额定电流 - 32.0 mA -

极性 - NPN -

耗散功率 200 mW 200 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V 5.5 V 12 V

增益 12.5dB ~ 14dB 12.5dB ~ 14dB 11dB ~ 15.5dB

最小电流放大倍数(hFE) 70 @2mA, 2.7V 70 @2mA, 2.7V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

针脚数 - - 4

直流电流增益(hFE) - - 150

耗散功率(Max) 200 mW - 225 mW

增益频宽积 10000 MHz - -

长度 3.06 mm 3.06 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 TO-253-4 TO-253-4 TO-253-4

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台