IDT70T3539MS133BCI和IDT70T653MS12BCI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70T3539MS133BCI IDT70T653MS12BCI 70T3539MS133BCI

描述 3.3V或2.5V接口的高速2.5V 512K ×36同步双端口静态RAM HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 2.5V 512K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACESRAM Chip Sync Dual 2.5V 18M-Bit 512K x 36 15ns/4.2ns 256Pin CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 256

封装 LBGA-256 LBGA-256 CABGA-256

存取时间 - - 4.2 ns

电源电压 2.5 V - 2.4V ~ 2.6V

长度 - - 17.0 mm

宽度 - - 17.0 mm

封装 LBGA-256 LBGA-256 CABGA-256

厚度 - - 1.40 mm

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991 3A991 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台