IS42S32800D-7TL和IS45S32800D-7TLA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-7TL IS45S32800D-7TLA1 MT48LC8M32B2TG-7IT

描述 RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 143MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3vDRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP

引脚数 86 86 -

额定电压(DC) - - 3.30 V

供电电流 150 mA 150 mA -

存取时间 5.4 ns 7 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V -

时钟频率 143 MHz - -

位数 32 - -

存取时间(Max) 6.5ns, 5.4ns - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP

长度 22.42 mm 22.42 mm -

宽度 10.29 mm 10.16 mm -

高度 1.05 mm 1.05 mm -

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

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