对比图
型号 IRFD113 IRFD113PBF
描述 MOSFET N-CH 60V 800mA 4-DIPMOSFET N-CH 60V 800mA 4-DIP
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
封装 HVMDIP-4 HVMDIP-4
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 HVMDIP-4 HVMDIP-4
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
通道数 1 -
耗散功率 1W (Tc) 1W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc)
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)