对比图
型号 AUIRLU3114Z IRFU3504ZPBF
描述 N沟道 40V 130AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) - 40.0 V
额定电流 - 42.0 A
额定功率 - 90 W
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 140 W 90W (Tc)
产品系列 - IRFU3504Z
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 130A 77.0 A
上升时间 140 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 3810pF @25V(Vds) 1510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W
下降时间 50 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 90000 mW
长度 6.73 mm 6.6 mm
宽度 2.38 mm 2.3 mm
高度 6.22 mm 6.1 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 -