对比图
型号 JAN2N4150 JANS2N4150S 2N4150S
描述 NPN POWER SILICON TRANSISTORBipolar Transistors - BJT NPN TransistorNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-5 TO-39 TO-39
引脚数 3 - -
封装 TO-5 TO-39 TO-39
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Bulk -
击穿电压(集电极-发射极) 70 V - -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @5A, 5V - -
额定功率(Max) 1 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ - -
工作温度(Min) -65 ℃ - -
耗散功率(Max) 1000 mW - -
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
RoHS标准 Non-Compliant - -
含铅标准 - -