对比图
型号 IRFS3306PBF IRFS7537TRLPBF IRF1405ZSPBF
描述 INFINEON IRFS3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 VStrongIRFET™ 功率 MOSFET，InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF1405ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 0.0037 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.00275 Ω 0.0037 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 230 mW 230 W 230 W
阈值电压 4 V 3.7 V 4 V
输入电容 - 7020 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 160A 173A 75.0 A
上升时间 46 ns 105 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 4520pF @50V(Vds) 7020pF @25V(Vds) 4780pF @25V(Vds)
下降时间 77 ns 84 ns 82 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 230000 mW 230 W 230000 mW
额定功率 230 W - 230 W
通道数 1 - -
漏源击穿电压 60 V - -
额定功率(Max) 230 W - -
产品系列 - - IRF1405ZS
长度 4.06 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.25 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 14.61 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17