对比图
型号 IRG4BC10SD-S IRG4BC10SD-SPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin (2+Tab) D2PAKIGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 38 W 38 W
耗散功率 - 38000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 28 ns 28 ns
额定功率(Max) 38 W 38 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 38 W
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - EAR99