CY7C1513KV18-250BZC和CY7C1513KV18-250BZXC

对比图

型号 CY7C1513KV18-250BZC CY7C1513KV18-250BZXC GS8672D18BGE-250

描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

供电电流 - 500 mA -

时钟频率 - 250 MHz -

位数 18 18 -

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 - 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -